机译:单畴0.26Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-0.46Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的材料性质的完整集合
机译:勘误表:“单畴0.26Pb„ In1 / 2Nb1 / 2…O3 –0.46Pb„ Mg1 / 3Nb2 / 3…O3 –0.28PbTiO3单晶的全套材料性能”
机译:Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3单晶的畴结构和局部转换行为的压电响应显微镜研究
机译:0.29Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-0.44Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-0.27PbTiO3单晶的电性能和晶体结构的温度依赖性
机译:弛豫基Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-PbTiO3单晶的通量生长和介电性能
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:单畴0.26Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-0.46Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的材料性质的完整集合
机译:勘误表:“完整的单畴0.26Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-0.46Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的材料性能” [附录。物理来吧96,012907(2010)]
机译:pB(TIO3-ZRO3),偏铌酸铅和铌酸铅和钛酸铅固溶体晶体单晶的生产和介电性能